脑深部电极慢性刺激术
脑深部电极慢性刺激术（ DBS ）的特点在于它为非毁损性治疗，如关闭电刺激则治疗作用结束，电刺激所引起的并发症也能随之排除，所采用的电极为钛铱合金，它具备良好的韧性，电极外包裹硅树脂，因而具备良好的组织相融性。电极尖端有四个极，可选择其中两个产生电刺激，植入脑内的电极通过导线联于脑外。经过数天调试刺激参数，使患者对该治疗方法产生信任感，如出现不良反应亦可加以更正。当患者对慢性电刺激治疗表示满意后，则可在锁骨下皮下植入程序式的微型电刺激器。该刺激器还可通过特殊的遥控装置调整电刺激参数。
众所周知，帕金森病是一种慢性进行性退行性病变，即使外科治疗使症状得到完全控制，但随着病程的发展，有可能出现症状复发，这也是神经核团损毁术后产生复发的原因之一。 DBS 则对此有其独特的优点，可通过重新调整电刺激参数，使复发症状再得到控制，无需再次手术。刺激器电池寿命为3~6年，更换刺激器的手术可在门诊进行。 DBS 治疗帕金森还有一个优点，它可同时进行双侧核团刺激而不会增加手术的危险性，只需一次手术即可控制双侧症状，而神经核团损毁术一般一次仅限于一侧，否则会大大增加手术的并发症。刺激电极植于何处取决于所需治疗的症状，目前 DBS 治疗帕金森的手术靶点主要有三个： Vim 、 Gpi 、 STN 。
1.Vim：是最早应用于临床的 DBS 治疗靶点， Vim 核的外侧是内囊，后方是 VC 核，低阈值刺激即引起肌肉收缩提示电极偏外进入内囊，低阈值刺激引起对侧肢体麻木提示电极偏后进人 VC 核，术中可根据此刺激反应来确定靶点位置。在 Vim 核内有相应的躯体定位，从面部到下肢由内向外排列，临床上可根据震颤的主要部位做相应的靶点选择。
2. Gpi ：是目前毁损手术治疗帕金森最常选用的毁损靶点，位于 AC - PC 中点前2mm，中线旁开18~22mm, AC - PC 平面下3~6mm。神经元放电在壳核、 Gpe 、 Gpi 及界板上各有特征，微电极记录可借此协助靶点确认，并可根据刺激诱发内囊及视束反应的阈值来判断靶点与内囊及视束之间的距离。在 Gpi 核内亦有从下肢到头部、由前向后的躯体定位顺序，临床上可根据患者主要症状部位来做相应的靶点选择。 Gpi 的 DBS 治疗能有效改善帕金森患者对侧肢体的震颤、强直、运动徐缓及药物所致的多动性运动障碍，延长"开"状态时间，但对步态、姿势等中轴症状改善较少。大多数患者不能减少左旋多巴剂量。
3.STN：是新近选用的治疗帕金森的刺激靶点，位于 AC - PC 中点旁开12mm、 AC - PC 平面下2~3mm。在 MRI 图像上表现为扁的梭形核团，位于丘脑腹侧，内囊后肢内侧，红核的外侧，黑质的上外方，可以直接影像定位。在微电极记录时有特征性的背景噪音较高的多细胞放电。由于 STN 毁损易引起偏身投掷等较严重并发症，一般不主张在 STN 核做毁损来治疗帕金森病。但 STN 对运动环路间接道路上有调节作用，因而是治疗帕金森病的较理想的刺激靶点。学界认为 GPi 刺激更适合于同时患有严重运动障碍和认识行为损害者， STN 刺激适合于那些认知完整但需要减少左旋多巴用量的患者。
DBS 适应证：
1）患病5年以上。
2）对左旋多巴反应性好。
3）即使运用最佳的药物治疗，仍有严重的症状波动和运动。
4）严重的抗药性震颤。
5）对左旋多巴或多巴胺激动剂耐药。
6）正常的头部 MRI 。
7）排除非典型和继发性的帕金森综合征。
8）排除患有痴呆和抑郁症状者。
9）身体健康状况良好。
10）有较现实的期待的患者。
DBS 适用于所有的耐药性帕金森患者。患者的全力配合是立体定向手术成功的先决条件，特别是在植人刺激电极时更需患者的密切配合。最理想的植入部位应是用最小的电流产生最大的治疗作用，此时所产生的不良反应亦最小。有大脑萎缩的患者不宜做 DBS ，因这些患者的解剖结构会发生异常，使靶点很难确定甚至完全不能确定，合并其他重症疾患的患者亦不宜于做此手术。 DBS 产生的并发症有感觉减退、不明显的语言功能障碍及步态不稳，但这些不良反应均极少见并可通过断开电刺激而消失。此外，这些不良反应都不足以让患者拒绝采用此项治疗技术。
Vim 的 DBS 治疗最常见的并发症是构音障碍，尤其是对侧已行丘脑毁损术患者。但因其可通过调整刺激参数来逆转或减轻，相对于双侧丘脑毁损术来说风险较小。其他如对侧偏身感觉异常、轻偏瘫、颅内出血、感染等亦有一定的发生率。 Gpi 刺激的并发症有视觉障碍、构音障碍等，但可随刺激参数的调整而逆转，因而比毁损相对安全。双侧 Gpi 刺激的安全性大于双侧毁损，对于一侧已行苍白球毁损术的患者，对侧 Gpi 行 DBS 可能是比较安全有效的方法。 STN 的 DBS 并发症发生率不高，如果刺激电压过高可能会引起偏身投掷现象及肌张力障碍，调整刺激参数可以逆转这些不良反应。
